[发明专利]制造用于形成光电器件的供体衬底的方法

摘要

本发明涉及一种制备晶体半导体层以使该层被提供有特定晶格参数的方法。所述方法涉及将松弛过程第一次应用到第一初始供体衬底(1)上以便获得第二供体衬底(5)。以第二供体衬底(5)作为初始供体衬底(1)来将该松弛过程重复使松弛层的晶格参数被提供有特定晶格参数的足够次数。本发明还涉及通过所述方法获得的衬底(5’)的集合(10)。

主权项

1.一种用于制备晶体半导体层(2’)以使所述晶体半导体层(2’)具有限定晶格参数的方法，所述方法实施松弛过程，所述松弛过程包括：‑在初始供体衬底(1)上形成应变层(2)；‑将所述应变层(2)的至少一部分转移到包括流动层(3b)的松弛载体(3)；‑应用热处理，所述热处理足以使所述应变层(2)至少部分松弛并在所述松弛载体(3)上提供松弛层(2’)；‑将所述松弛层(2’)附接到基底载体(5a)以形成第二供体衬底(5)；所述方法的特征在于，将所述松弛过程第一次应用到第一初始供体衬底(1)，然后以所述第二供体衬底(5)作为初始供体衬底来重复足够次数，以使所述松弛层(2’)的晶格参数具有所述限定晶格参数。