[发明专利]基于忆阻器件过渡金属氧化物的碱性掺杂的忆阻器件在审
| 申请号： | 201880006821.2 | 申请日： | 2018-01-03 |
| 公开（公告）号： | CN110168761A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | T·S·格申;K·W·布鲁;S·辛格;D·纽恩斯 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 酆迅;辛鸣 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 忆阻器件包括第一导电材料层。氧化物材料层被布置在第一导电层上。第二导电材料层被布置在氧化物材料层上，其中第二导电层包括金属‑碱合金。 | ||
| 搜索关键词： | 导电材料层 氧化物材料 过渡金属氧化物 第二导电层 第一导电层 掺杂的 合金 金属 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器件，包括：第一导电材料层；氧化物材料层，被布置在所述第一导电层上；以及第二导电材料层，被布置在所述氧化物材料层上，其中所述第二导电材料层包括金属‑碱合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201880006821.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：热电转换材料及其制造方法
- 下一篇：有机太阳能电池
