[发明专利]数据的写入方法及磁存储器有效
| 申请号： | 201880000891.7 | 申请日： | 2018-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN110476211B | 公开（公告）日： | 2023-09-15 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木智生;盐川阳平 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H10N50/10;H10B61/00;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的一个实施方式提供一种数据的写入方法，其中，在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下的电压，其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层。 | ||
| 搜索关键词： | 数据 写入 方法 磁存储器 | ||
【主权项】：
1.一种数据的写入方法，其中，/n在具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和功能部的自旋轨道转矩型磁阻效应元件中，将所述自旋轨道转矩配线的沿所述第一方向施加的电压设为环境温度下的临界写入电压以上且规定值以下，/n其中，所述功能部层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面，并且从所述自旋轨道转矩配线侧起具备第一铁磁性层、非磁性层和第二铁磁性层，/n所述规定值为：/n在环境温度为-40℃、20℃及100℃下，为使所述第一铁磁性层的磁化反转时的写入错误率与施加了所述临界写入电压时的写入错误率相等的界限写入电压；/n在环境温度低于20℃的温度区域中，为位于连结-40℃下的界限写入电压和20℃下的界限写入电压的直线上的电压；/n在环境温度为20℃以上的温度区域中，为位于连结20℃下的界限写入电压和100℃下的界限写入电压的直线上的电压。/n
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