[实用新型]Si基改性Ge单片同层光电器件

摘要

本实用新型涉及一种Si基改性Ge单片同层光电器件，包括：由下到上依次层叠设置的衬底层、n型掺杂Si层、n型掺杂Ge层；n型掺杂Ge层上有三个隔离区域；第一隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第一本征Ge层、第一p型掺杂Ge层、第一P型掺杂Si层、第一SiO₂层、第一金属电极；第二隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第二本征Ge层、覆盖层α‑Si，第二隔离区域包覆有SiN膜；第三隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第三本征Ge层、第三p型掺杂Ge层、第三P型掺杂Si层、第三SiO₂层，第三隔离区域包覆有SiN膜，SiN膜上有第三金属电极。本实用新型提出的单片同层光电器件解决了能带调制性能差的问题。

主权项

1.一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，包括：由下到上依次层叠设置的衬底层(001)、n型掺杂Si层(002)、n型掺杂Ge层(003)；所述n型掺杂Ge层(003)上具有第一隔离区域、第二隔离区域、第三隔离区域；其中，所述第一隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第一本征Ge层(0041)、第一p型掺杂Ge层(0051)、第一P型掺杂Si层(0061)、第一SiO₂保护层(0071)、第一金属电极(0121)；所述第二隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第二本征Ge层(0042)、覆盖层α‑Si(009)；所述第三隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第三本征Ge层(0043)、第三p型掺杂Ge层(0053)、第三P型掺杂Si层(0063)、第三SiO₂保护层(0073)。