[实用新型]Si基改性Ge单片同层光电器件

权利要求书

1.一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，包括：

由下到上依次层叠设置的衬底层(001)、n型掺杂Si层(002)、n型掺杂Ge层(003)；

所述n型掺杂Ge层(003)上具有第一隔离区域、第二隔离区域、第三隔离区域；

其中，所述第一隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第一本征Ge层(0041)、第一p型掺杂Ge层(0051)、第一P型掺杂Si层(0061)、第一SiO₂保护层(0071)、第一金属电极(0121)；

所述第二隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第二本征Ge层(0042)、覆盖层α-Si(009)；

所述第三隔离区域包括：由下向上依次层叠设置的第三本征Ge层(0043)、第三p型掺杂Ge层(0053)、第三P型掺杂Si层(0063)、第三SiO₂保护层(0073)。

2.根据权利要求1所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述第二隔离区域上包覆有压应力SiN膜(010)。

3.根据权利要求1所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述第三隔离区域上包覆有张应力SiN膜(011)，所述张应力SiN膜(011)上设置有第三金属电极(0123)。

4.根据权利要求2所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述第一隔离区域与所述第二隔离区域之间、所述第二隔离区域与所述第三隔离区域之间均设置有SiO₂隔离层(008)，且所述SiO₂隔离层(008)位于所述n型掺杂Ge层(003)与所述压应力SiN膜(010)之间。

5.根据权利要求4所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述SiO₂隔离层(008)的厚度为20-60nm。

6.根据权利要求1所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述衬底层(001)材料为单晶硅，且所述衬底层(001)的厚度为30-750nm。

7.根据权利要求1所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述n型掺杂Si层(002)厚度为400nm，所述n型掺杂Ge层(003)厚度为50nm。

8.根据权利要求1所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述第一本征Ge层(0041)和第三本征Ge层(0043)厚度均为250nm，所述第二本征Ge层(0042)厚度为160-200nm。

9.根据权利要求1所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述覆盖层α-Si(009)的厚度为50-90nm。

10.根据权利要求3所述的一种Si基改性Ge单片同层光电器件，其特征在于，所述第一金属电极(0121)和所述第三金属电极(0123)厚度均为10-20nm。