[实用新型]一种红外发光源的电极结构有效
| 申请号： | 201822104861.0 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN209183568U | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 冯雪瑞;丁东民;杨拓 | 申请（专利权）人： | 华润半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 518040 广东省深圳市福田*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种红外发光源的电极结构，应用于长爬电光电耦合器，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。本实用新型提供的实施例在确保发光源芯片和受光器芯片隔离距离较长的基础上，能够实现更高的焊线工艺容宽，从而提高长爬电光耦焊线的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 焊线 电极结构 本实用新型 红外发光源 欧姆接触层 发光源芯片 光电耦合器 焊线工艺 芯片隔离 依次设置 受光器 黏合层 电光 爬电 应用 | ||
【主权项】：
1.一种红外发光源的电极结构，所述红外发光源应用于长爬电光电耦合器，其特征在于，所述电极结构包括依次设置的第一欧姆接触层、第二欧姆接触层、黏合层、第一焊线层、第二焊线层、第三焊线层和第四焊线层。
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