[实用新型]改型整流二极管有效
| 申请号： | 201822083108.8 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN208954992U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及改型整流二极管，在N型硅衬底上有3个环形结构，最外环的高掺杂N型第一环形结构，中间的高掺杂P型第二环形结构，高掺杂P型硅基区侧的高掺杂P型第三环形结构；其中，所述第三环形结构覆盖N型硅衬底和高掺杂P型硅基区的连接处。本实用新型对整流二极管进行了改进，采用薄基区，一个高掺杂P型保护环覆盖基区外源的设计方式，获得了较高的正向电流，使二极管恢复性能改善，稳定性好，适用于IGBT模块。 | ||
| 搜索关键词： | 高掺杂 环形结构 整流二极管 基区 本实用新型 改型 衬底 二极管恢复 性能改善 正向电流 薄基区 外源 覆盖 改进 | ||
【主权项】：
1.一种改型整流二极管，低掺杂N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂N型硅衬底呈圆角正方体状，N型硅衬底表面沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述阴极、阳极外设有保护膜，其特征在于，所述N型硅衬底上有3个环形结构，最外环的高掺杂N型第一环形结构，中间的高掺杂P型第二环形结构，高掺杂P型硅基区侧的高掺杂P型第三环形结构；其中，所述第三环形结构覆盖N型硅衬底和高掺杂P型硅基区的连接处。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于傲迪特半导体（南京）有限公司，未经傲迪特半导体（南京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201822083108.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有机发光二极管显示装置
- 下一篇：PNP型晶体三极管
- 同类专利
- 专利分类
