[实用新型]用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统有效
| 申请号： | 201822083005.1 | 申请日： | 2018-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN209690000U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 罗建文;邱艳梅;刘国霞;曾凤;罗丹;陈星;唐华华 | 申请（专利权）人： | 新疆新特新能材料检测中心有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/44 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗建民;张萍<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐*** | 国省代码： | 新疆;65 |
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| 摘要： | 本实施例公开了一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，包括：消解罐，包括：罐体和盖设于罐体上的盖体，罐体与盖体密封连接，罐体用于盛放待处理的氯硅烷样品，盖体上开设有第一开口、第二开口；第一管道，第一管道与第一开口密封连接，第一管道的第一端穿过第一开口且位于罐体内，第一管道用于向消解罐内通入载气；第二管道，第二管道与第二开口密封连接，第二管道的第一端穿过第二开口且位于罐体内，第二管道用于输出负载有氯硅烷的载气；加热装置，其上设置有加热区，加热区用于容纳消解罐并对其进行加热。该前处理系统避免了待处理的氯硅烷样品受到二次污染，且通过载气的携带蒸发出来的氯硅烷，可减少蒸发氯硅烷的时间，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氯硅烷 第二管道 第一管道 罐体 开口 载气 前处理系统 开口密封 第一端 加热区 消解罐 盖体 蒸发 体内 穿过 二次污染 盖体密封 工作效率 痕量杂质 加热装置 盖设 盛放 加热 消解 容纳 输出 携带 分析 | ||
【主权项】：
1.一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，其特征在于，包括：/n消解罐，包括：罐体和盖设于罐体上的盖体，罐体与盖体密封连接，罐体用于盛放待处理的氯硅烷样品，盖体上开设有第一开口、第二开口；/n第一管道，第一管道与第一开口密封连接，第一管道的第一端穿过第一开口且位于罐体内，第一管道用于向消解罐内通入载气；/n第二管道，第二管道与第二开口密封连接，第二管道的第一端穿过第二开口且位于罐体内，第二管道用于输出负载有氯硅烷的载气；/n加热装置，其上设置有加热区，加热区用于容纳消解罐并对其进行加热。/n
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