[实用新型]用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统有效

专利信息
申请号: 201822083005.1 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN209690000U 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 罗建文;邱艳梅;刘国霞;曾凤;罗丹;陈星;唐华华 申请(专利权)人: 新疆新特新能材料检测中心有限公司
主分类号: G01N1/28 分类号: G01N1/28;G01N1/44
代理公司: 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 代理人: 罗建民;张萍<国际申请>=<国际公布>=
地址: 831500 新疆维吾尔自治区乌鲁木齐*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 氯硅烷 第二管道 第一管道 罐体 开口 载气 前处理系统 开口密封 第一端 加热区 消解罐 盖体 蒸发 体内 穿过 二次污染 盖体密封 工作效率 痕量杂质 加热装置 盖设 盛放 加热 消解 容纳 输出 携带 分析
【权利要求书】:

1.一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,包括:

消解罐,包括:罐体和盖设于罐体上的盖体,罐体与盖体密封连接,罐体用于盛放待处理的氯硅烷样品,盖体上开设有第一开口、第二开口;

第一管道,第一管道与第一开口密封连接,第一管道的第一端穿过第一开口且位于罐体内,第一管道用于向消解罐内通入载气;

第二管道,第二管道与第二开口密封连接,第二管道的第一端穿过第二开口且位于罐体内,第二管道用于输出负载有氯硅烷的载气;

加热装置,其上设置有加热区,加热区用于容纳消解罐并对其进行加热。

2.根据权利要求1所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,盖体与罐体的连接方式为卡接、螺纹连接、过盈连接中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,第一管道的第一端距离罐体内待处理的氯硅烷样品的液面高度h1,低于第二管道的第一端距离罐体内待处理的氯硅烷样品的液面高度h2

4.根据权利要求1~3任意一项所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,还包括:

载气供应装置,与第一管道连接,载气供应装置用于通过第一管道向消解罐内供应载气。

5.根据权利要求4所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,第一管道上设置有第一阀门,第一阀门为微量调节阀。

6.根据权利要求1~3、5任意一项所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,还包括:

吸收容器,与第二管道的第二端连接,吸收容器用于盛放吸收载气中的氯硅烷的吸收液。

7.根据权利要求1~3、5任意一项所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,加热装置为无水加热装置。

8.根据权利要求7所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,加热装置为石墨消解仪。

9.根据权利要求1~3、5任意一项所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,消解罐的材质为PFA、PTFE中的一种。

10.根据权利要求1~3、5任意一项所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统,其特征在于,至少第一管道伸入罐体内的管体的材质为PFA、PTFE中的一种;至少第二管道伸入罐体内的管体的材质为PFA、PTFE中的一种。

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