[实用新型]用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统

说明书

本实施例公开了一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，包括：消解罐，包括：罐体和盖设于罐体上的盖体，罐体与盖体密封连接，罐体用于盛放待处理的氯硅烷样品，盖体上开设有第一开口、第二开口；第一管道，第一管道与第一开口密封连接，第一管道的第一端穿过第一开口且位于罐体内，第一管道用于向消解罐内通入载气；第二管道，第二管道与第二开口密封连接，第二管道的第一端穿过第二开口且位于罐体内，第二管道用于输出负载有氯硅烷的载气；加热装置，其上设置有加热区，加热区用于容纳消解罐并对其进行加热。该前处理系统避免了待处理的氯硅烷样品受到二次污染，且通过载气的携带蒸发出来的氯硅烷，可减少蒸发氯硅烷的时间，提高工作效率。

技术领域

本实施例属于多晶硅生产技术领域，具体涉及一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统。

背景技术

氯硅烷是改良西门子法生产多晶硅的一种中间产物，通过对氯硅烷中杂质元素含量的检测分析而对整个生产工艺流程进行监控，确保整个流程持续稳定的进行，从而达到对产品质量的控制。三氯氢硅中杂质元素含量的分析属于痕量分析，技术要求较为苛刻，同时，在采样和制样过程中很容易受到污染。因此，如何在样品处理过程中降低或避免污染，更好地富集硼、磷及金属元素成为当前研究的一项难题。

根据文献调研，氯硅烷样品的前处理方法种类较多，目前通常采用水解法和浓缩法，水解法在样品前处理过程中，耗时较长，水解过程中还会产生氯化氢等腐蚀性气体，且无法准确测出氯硅烷中磷、硼元素的含量。浓缩法在样品溶液中加入络合剂与金属离子生成稳定络合物，但在样品处理过程中采用聚四氟乙烯钳锅在敞口状态下进行挥发，样品极易受到污染，且此方法仍然存在分析耗时较长、检测效果和重现性差等问题。

实用新型内容

本实施例所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足，提供一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，避免了待处理的氯硅烷样品受到二次污染，且通过载气的携带蒸发出来的氯硅烷，可以大大减少蒸发氯硅烷的时间。

解决本实施例技术问题所采用的技术方案是提供一种用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，包括：

消解罐，包括：罐体和盖设于罐体上的盖体，罐体与盖体密封连接，罐体用于盛放待处理的氯硅烷样品，盖体上开设有第一开口、第二开口；

第一管道，第一管道与第一开口密封连接，第一管道的第一端穿过第一开口且位于罐体内，第一管道用于向消解罐内通入载气；

第二管道，第二管道与第二开口密封连接，第二管道的第一端穿过第二开口且位于罐体内，第二管道用于输出负载有氯硅烷的载气；

加热装置，其上设置有加热区，加热区用于容纳消解罐并对其进行加热。

优选的是，盖体与罐体的连接方式为卡接、螺纹连接、过盈连接中的任意一种。

优选的是，第一管道的第一端距离罐体内待处理的氯硅烷样品的液面高度h₁，低于第二管道的第一端距离罐体内待处理的氯硅烷样品的液面高度h₂。

优选的是，所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，还包括：

载气供应装置，与第一管道连接，载气供应装置用于通过第一管道向消解罐内供应载气。

优选的是，第一管道上设置有第一阀门，第一阀门为微量调节阀。

优选的是，所述的用于分析氯硅烷中痕量杂质的前处理系统，还包括：

吸收容器，与第二管道的第二端连接，吸收容器用于盛放吸收载气中的氯硅烷的吸收液。

第二管道内的气体流入到吸收容器内的吸收液中。

优选的是，加热装置为无水加热装置。

优选的是，加热装置为石墨消解仪。