[实用新型]用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片有效
| 申请号： | 201821991585.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN209495986U | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 车仁超;赵雪冰;张捷 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | G01N23/22 | 分类号： | G01N23/22 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型属于电子显微镜测试技术领域，具体为一种适用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片。包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路；金属电路用于对样品施加或测量各种电信号；芯片外形为直径2.5–3.0 mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口。本实用新型的原位测试芯片能够用于传统的3mm直径样品孔，可用于多种条件下的原位透射电镜观测；同时放置样品的位置在芯片边缘，便于使用聚焦离子束工艺制备样品。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 聚焦离子束 透射电镜 硅基片 本实用新型 电学测试 金属电路 制样 绝缘层 测试技术领域 倒梯形缺口 电子显微镜 正面绝缘层 大半圆形 工艺制备 弓形区域 平直边缘 芯片边缘 芯片外形 原位测试 直径样品 传统的 样品杆 样品孔 可用 测量 观测 施加 | ||
【主权项】：
1.一种用于聚焦离子束制样工艺的透射电镜原位电学测试芯片，其特征在于，包括硅基片和硅基片两面的绝缘层以及硅基片正面绝缘层上的金属电路，金属电路用于对样品施加或测量电信号；芯片外形为直径2.5–3.0mm的圆割去一弓形区域后的大半圆形，使得芯片能够放置于样品杆的样品孔内；芯片的平直边缘中部开有用于放置样品的倒梯形缺口，缺口的底边距离圆心0–1000μm，缺口底边长度20–250μm，缺口斜边与底边延长线夹角20°~90°，缺口深度20–500μm。
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