[实用新型]一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片有效

专利信息
申请号: 201821991580.5 申请日: 2018-11-30
公开(公告)号: CN209495985U 公开(公告)日: 2019-10-15
发明(设计)人: 车仁超;赵雪冰;张捷 申请(专利权)人: 复旦大学
主分类号: G01N23/22 分类号: G01N23/22
代理公司: 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人: 陆飞;陆尤
地址: 200433 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型属于电子显微镜测试技术领域,具体为一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片,包括硅基片和绝缘层,以及在硅基片正面绝缘层上的金属电路;所述金属电路至少包含两个金属电极,分别用于接地和信号输入;金属电极靠近样品一侧用50–75Ω的并联电阻相连,以实现与微波信号输入端的阻抗匹配;正面绝缘层总厚度1.5–5.0μm,使得电极与硅片的寄生电容小于1pF;金属电极延伸至用于放置样品的窗口上或窗口外0–20μm;信号输入电极近样品端引出有测量电极,用于信号的原位测量。采用本实用新型的透射电镜原位测试芯片,可以实现0–6GHz内的任意波形信号下的原位测试,拓展了原位电镜的应用范围。
搜索关键词: 金属电极 透射电镜 本实用新型 正面绝缘层 电学测试 金属电路 微波频率 原位测试 芯片 硅基片 绝缘层 测试技术领域 信号输入电极 电子显微镜 并联电阻 波形信号 测量电极 寄生电容 微波信号 信号输入 原位测量 阻抗匹配 接地 电极 硅片 延伸 拓展 应用
【主权项】:
1.一种直流至微波频率的透射电镜原位高频电学测试芯片,其特征在于,硅基片和硅基片两面的绝缘层,以及在硅基片正面绝缘层上的金属电路;所述金属电路至少包含两个金属电极,分别用于接地和信号输入;并且金属电极在靠近样品一侧用50–75Ω的并联电阻相连,以实现与微波信号输入端的阻抗匹配;硅基片两面的绝缘层为二氧化硅,或者为二氧化硅表面再生长有氮化硅,正面绝缘层总厚度1.5–5.0μm,使得电极与硅片的寄生电容小于1pF;金属电极延伸至用于放置样品的窗口上或窗口外0–20μm。
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