[实用新型]用于GaN功率集成模块的过热保护电路

摘要

本实用新型公开一种用于GaN功率集成模块的过热保护电路，包括2个温度检测电阻、3个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个滤波电容C1、4个NMOS管和9个PMOS管；该过热保护电路可以自动检测功率模块温度高低，当温度过高时自动关断GaN FETs器件，并且可以滤除高侧和低侧电源电压上出现的尖峰毛刺信号的干扰，保证GaN FETs的工作特性处于安全区。

主权项

1.一种用于GaN功率集成模块的过热保护电路，其特征是：包括2个温度检测电阻、3个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个滤波电容C1、4个NMOS管和9个PMOS管；所述用于GaN功率集成模块的过热保护电路的连接关系为：第一温度检测电阻Rtd的上端连接到第二温度检测电阻Rd的下端，还连接到第一PMOS管M1的栅端；第一温度检测电阻Rtd的下端连接到还连接到地电平；第二温度检测电阻Rd的上端连接到电源电压；第一PMOS管M1的漏端连接到第三NMOS管M3的漏端和栅端，还连接到第四NMOS管M4的栅端；第一PMOS管M1的源端连接到第二PMOS管M2的源端和第五PMOS管M5的漏端；第二PMOS管M2的栅端连接第二偏置电阻R2的上端和第一偏置电阻R1的下端；第二偏置电阻R2的下端连接到地电平；第一偏置电阻R1的上端连接第六PMOS管M6的漏端和电压钳位二极管Z1的阳极；电压钳位二极管Z1的负端连接到地电平；第五PMOS管M5的栅端连接第六PMOS管M6的栅端，还连接第七PMOS管M7的栅端、第十一PMOS管M11的栅端和第八PMOS管M8的栅端，还连接第八PMOS管M8的漏端；第四NMOS管M4的漏端连接第二PMOS管M2的漏端，还连接到第十一PMOS管M11的漏端和第九NMOS管M9的栅端；第九NMOS管M9的漏端连接第七PMOS管M7的漏端和第十PMOS管M10的栅端，还连接到滤波电容C1的上端；还连接到第十三NMOS管M13和第十二PMOS管M12的栅端；第十一PMOS管M11的源端连接到第十PMOS管M10的漏端；滤波电容C1的下端接地电平；第十三NMOS管M13的和第十二PMOS管M12漏端相连，并输出判别信号OC；除第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第十一PMOS管M11以外的其余PMOS管的源端均接电源电压；所有PMOS管的衬底均接电源电压，所有NMOS管的源端和衬底均接地电平。