[实用新型]用于GaN功率集成模块的过流保护电路

摘要

本实用新型公开一种用于GaN功率集成模块的过流保护电路，包括2个电流检测电阻、5个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个整流二极管、1个滤波电容C1、2个三极管、7个NMOS管和6个PMOS管；该过流保护电路可以自动检测功率器件输出电流高低，当电流过大时自动关断GaN FETs器件，并且可以滤除电源电压上出现的尖峰毛刺信号的干扰，保证GaN FETs的工作特性处于安全区。

主权项

1.一种用于GaN功率集成模块的过流保护电路，其特征是：包括2个电流检测电阻、5个偏置电阻、1个电压钳位二极管、1个整流二极管、1个滤波电容C1、2个三极管、7个NMOS管和6个PMOS管；所述用于GaN功率集成模块的过流保护电路的连接关系为：第一电流检测电阻Rd1的上端连接到第二电流检测电阻Rd2的上端，还连接到第一三极管Q1的基极和待检测电流输入端；第一电流检测电阻Rd1的下端连接到第二电流检测电阻Rd2的下端，还连接到地电平；第一三极管Q1的集电极连接到第六NMOS管M6的源端，第一三极管Q1的发射极连接到第三偏置电阻R3的上端和第二三极管Q2的发射极；第二三极管Q2的基极连接第二偏置电阻R2的上端和第一偏置电阻R1的下端；第二偏置电阻R2的下端连接到地电平；第一偏置电阻R1的上端连接第五偏置电阻R5的下端和电压钳位二极管Z1的阳极；电压钳位二极管Z1的负端连接到地电平；第五偏置电阻R5的上端接电源电压；第六NMOS管M6的漏端连接到第一PMOS管M1的漏端和栅端，还连接到第二PMOS管M2的栅端和第四PMOS管M4的栅端；第二PMOS管M2的漏端连接到第七NMOS管M7的漏端，还连接到第三PMOS管M3的漏端和栅端，还连接到第五PMOS管M5的栅端；第四PMOS管M4的漏端连接到第八NMOS管M8的漏端；第五PMOS管M5的漏端连接到第九NMOS管M9的漏端；第八NMOS管M8的源端连接到第十NMOS管M10的漏端，还连接到第十三NMOS管M13和第十二PMOS管M12的栅端；第九NMOS管M9的源端连接到第十一NMOS管M11的漏端和栅端；第十三NMOS管M13的和第十二PMOS管M12漏端相连，并输出判别信号OC；滤波电容C1的下端接地电平，滤波电容C1的上端连接到第四偏置电阻R4的下端和整流二极管D1的阳极，滤波电容C1的上端还连接到第六NMOS管M6、第七NMOS管M7、第八NMOS管M8和第九NMOS管M9的栅端，滤波电容C1的上端还连接到第十二PMOS管M12的源端；除第十二PMOS管M12以外的其余PMOS管的源端均接电源电压；第十一NMOS管M11、第十三NMOS管M13和第十NMOS管M10的源端均接地电平；所有PMOS管的衬底均接电源电压，所有NMOS管的衬底均接地电平。