[实用新型]改善组件焊接隐裂的电池结构有效
| 申请号： | 201821885014.6 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN208970538U | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;黄辉巍;杜庆晖 | 申请（专利权）人： | 江苏顺风新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05 |
| 代理公司： | 常州知融专利代理事务所(普通合伙) 32302 | 代理人： | 路接洲 |
| 地址： | 213000 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种改善组件焊接隐裂的电池结构，包括主栅线、副栅线以及mark点，所述的主栅线与副栅线相互垂直设置，副栅线与主栅线搭接；电池串焊的起始位置以及周围位置的副栅线与主栅线的搭接的深度为80～120μm，搭接的宽度为80～120μm；所述的mark点不设置在主栅线和/或副栅线上；电池背面具有激光划过区域，所述的激光划过区域避开背电极，避开区域的长度为15～30mm，宽度为1～3mm。本实用新型极大程度上改善了组件端出现的隐裂和机械载荷等质量问题，且不会产生其他额外的不良影响；该电池结构在电池端不增加成本性支出，提高组件端生产效率，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 副栅线 主栅线 电池结构 搭接 隐裂 本实用新型 改善组件 焊接 激光 成本性支出 垂直设置 电池背面 机械载荷 区域避开 生产效率 提高组件 质量问题 周围位置 背电极 电池串 电池端 避开 | ||
【主权项】：
1.一种改善组件焊接隐裂的电池结构，包括主栅线、副栅线以及mark点，其特征在于：所述的主栅线与副栅线相互垂直设置，副栅线与主栅线搭接；电池串焊的起始位置以及周围位置的副栅线与主栅线的搭接的深度为80～120μm，搭接的宽度为80～120μm；所述的mark点不设置在主栅线和/或副栅线上；电池背面具有激光划过区域，所述的激光划过区域避开背电极，避开区域的长度为15～30mm，宽度为1～3mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
