[实用新型]改善组件焊接隐裂的电池结构

说明书

本实用新型涉及一种改善组件焊接隐裂的电池结构，包括主栅线、副栅线以及mark点，所述的主栅线与副栅线相互垂直设置，副栅线与主栅线搭接；电池串焊的起始位置以及周围位置的副栅线与主栅线的搭接的深度为80～120μm，搭接的宽度为80～120μm；所述的mark点不设置在主栅线和/或副栅线上；电池背面具有激光划过区域，所述的激光划过区域避开背电极，避开区域的长度为15～30mm，宽度为1～3mm。本实用新型极大程度上改善了组件端出现的隐裂和机械载荷等质量问题，且不会产生其他额外的不良影响；该电池结构在电池端不增加成本性支出，提高组件端生产效率，降低成本。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种改善组件焊接隐裂的电池结构。

背景技术

现有技术中，晶硅太阳能电池生产制造在融入选择性发射极、背钝化、丝网印刷主栅和细栅分次印刷等技术后，与常规晶硅太阳能电池相比，所得新型电池结构发生变化，包括宏观和微观结构两方面。这些变化在晶硅太阳能组件端可能成为质量隐患，在电池经过串焊、层压等工序制成组件后，会出现隐裂、机械载荷失效等质量问题。这不仅影响产品质量，提高生产成本，更是对资源的浪费。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：提供一种改善组件焊接隐裂的电池结构。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：一种改善组件焊接隐裂的电池结构，包括主栅线、副栅线以及mark点，所述的主栅线与副栅线相互垂直设置，副栅线与主栅线搭接；电池串焊的起始位置以及周围位置的副栅线与主栅线的搭接的深度为80～120μm，搭接的宽度为80～120μm；所述的mark点不设置在主栅线和/或副栅线上；电池背面具有激光划过区域，所述的激光划过区域避开背电极，避开区域的长度为15～30mm，宽度为1～3mm。

进一步的说，本实用新型所述的激光划过区域平行于背电极或垂直于背电极。

本实用新型的有益效果是，解决了背景技术中存在的缺陷，该电池结构极大程度上改善了组件端出现的隐裂和机械载荷等质量问题，且不会产生其他额外的不良影响；该电池结构在电池端不增加成本性支出，提高组件端生产效率，降低成本。

附图说明

图1是本实用新型mark点与主栅线和副栅线的位置示意图；

图2是本实用新型主栅线和副栅线搭接结构示意图；

图3(a)、(b)是本实用新型背面结构示意图；其中图3(a)是激光平行于背电极，图3(b)激光垂直于背电极；

图中：1、主栅线；2、副栅线；3、mark点。

具体实施方式

现在结合附图和优选实施例对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。

如图1-3所示的一种改善组件焊接隐裂的电池结构，包括主栅线1、副栅线2以及mark点3，所述的主栅线1与副栅线2相互垂直设置，副栅线2与主栅线1搭接；电池串焊的起始位置以及周围位置的副栅线与主栅线的搭接的深度为80～120μm，搭接的宽度为80～120μm。

如图1所示，mark点3位置避开所有主栅线1和/或副栅线2。

如图3所示，电池背面具有激光划过区域，所述的激光划过区域避开背电极，避开区域的长度为15～30mm，宽度为1～3mm。激光划过区域平行于背电极或垂直于背电极。

实验数据如下表所示：

以上说明书中描述的只是本实用新型的具体实施方式，各种举例说明不对本实用新型的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离实用新型的实质和范围。