[实用新型]一种可实现快速降温的立式镀膜炉体系统有效
申请号: | 201821879851.8 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN208938993U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 林佳继;庞爱锁;刘群;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C23C14/56;C23C16/54 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种可实现快速降温的立式镀膜炉体系统,每一炉体对应一升降舟装置、一第一移送装置布置;炉体包括炉管、舟、炉门;所述舟与炉管分离设计,舟与炉门连接;升降舟装置设于炉管一侧,用于驱动炉门带动舟退出或进入炉管;若干第一移送装置沿第二移送装置的长度方向布置,第一移送装置的一端与升降舟装置连接,另一端与第二移送装置连接;第一移送装置用于驱动炉门带动舟在升降舟装置与第二移送装置之间移送;第二移送装置用于驱动炉门带动舟在第一移送装置与上下料工位之间移送。本实用新型采用分离式立式管式炉,舟可移出炉管装卸载硅片,省去了炉管内插片和舟在炉管内冷却占用的炉管时间,提高了炉管的利用率,提高了产能。 | ||
搜索关键词: | 移送装置 炉管 炉门 升降 本实用新型 快速降温 镀膜炉 炉体 驱动 立式管式炉 上下料工位 分离设计 装置连接 产能 出炉 硅片 内插 冷却 装卸 占用 退出 | ||
【主权项】:
1.一种可实现快速降温的立式镀膜炉体系统,其特征在于,包括若干炉体、若干升降舟装置、若干第一移送装置、一第二移送装置;每一炉体对应一升降舟装置、一第一移送装置布置;所述炉体包括炉管、舟、炉门;所述舟与炉管分离设计,舟与炉门连接;所述升降舟装置设于炉管一侧,用于驱动炉门带动舟退出或进入炉管;所述若干第一移送装置沿第二移送装置的长度方向布置,第一移送装置的一端与升降舟装置连接,另一端与第二移送装置连接;所述第一移送装置用于驱动炉门带动舟在升降舟装置与第二移送装置之间移送;所述第二移送装置用于驱动炉门带动舟在第一移送装置与上下料工位之间移送。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的