[实用新型]常压低温等离子体智能化的密封橡胶处理设备有效
| 申请号： | 201821778553.X | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN208993082U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 周玥 | 申请（专利权）人： | 南京珀斯佩特电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B29C59/14 | 分类号： | B29C59/14 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 王清 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了常压低温等离子体智能化的密封橡胶处理设备，包括机体，机体的一侧安装有工业空调冷却装置，机体背面的中间位置处安装有条板式等离子电源，且机体背面的上端设置有高压喷气风机，机体背面一侧的中间位置处安装有人机交互界面，机体正面的中间位置处安装有操作按钮界面，且机体内部的顶端设置有内部抽风机，本实用新型通过高压喷气风机吹出气体，等离子电源供电，使等离子喷枪产生低温等离子放电区，对材料表面通过采用大气压等离子体射流技术处理，使废品率被降至最低水平，产线的生产能力也大幅增加，且省去了溶剂的使用实现节能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 常压低温等离子体 本实用新型 等离子电源 处理设备 高压喷气 密封橡胶 智能化 风机 大气压等离子体 人机交互界面 等离子喷枪 低温等离子 板式 操作按钮 顶端设置 工业空调 机体背面 机体内部 机体正面 冷却装置 射流技术 抽风机 放电区 上端 溶剂 产线 吹出 生产能力 节能 供电 | ||
【主权项】：
1.常压低温等离子体智能化的密封橡胶处理设备，包括机体(14)，其特征在于：所述机体(14)的一侧安装有工业空调冷却装置(3)，所述机体(14)背面的中间位置处安装有条板式等离子电源(9)，且机体(14)背面的上端设置有高压喷气风机(10)，所述机体(14)背面一侧的中间位置处安装有人机交互界面(11)，所述机体(14)正面的中间位置处安装有操作按钮界面(4)，且机体(14)内部的顶端设置有内部抽风机(13)，所述机体(14)内部的中间位置处设置有多角度等离子直喷枪(6)，且机体(14)内部底端的中间位置处安装有同步中部转换器(8)，且同步中部转换器(8)的两侧连接有同步升降机(7)，所述机体(14)内部的一侧安装有伺服电机(12)，所述机体(14)的正面设置有电动升降门(5)。
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- 2012-03-14 - 2013-12-18 - B29C59/14
- 本发明涉及注塑成型物的表面改性方法，更详细地，涉及通过由离子注入或者电子束照射的表面处理而改性塑料注塑成型物表面的方法及由其方法制造的注塑成型物。根据本发明，提供一种塑料注塑成型物的表面改性方法，所述塑料注塑成型物的表面改性方法包含：（a）将模具的腔加热至第一温度的步骤，所述第一温度为树脂组合物的熔融温度（Tm）的50%以上且分解温度以下；（b）向所述模具的腔注塑熔融的所述树脂组合物的步骤；（c）将所述模具的腔以200至400℃/分钟的冷却速度冷却至第二温度而获得注塑成型物的步骤，所述第二温度为所述树脂组合物的结晶温度（Tc）以下；（d）取出所述注塑成型物的步骤；（e）将所述注塑成型物置于离子或电子注入装置室内的支架的步骤；以及（f）一边冷却所述离子或电子注入装置室内的支架，一边向所述注塑成型物注入离子或电子的步骤。
- 使用低压等离子体的橡胶表面处理-201180031605.1
- 阿尔温·龙兰 - 拉尔斯·贝蒂尔·卡内哈马尔
- 2011-06-07 - 2013-03-06 - B29C59/14
- 一种处理包含橡胶材料的物体并特别地是用于制造车辆轮胎工艺中的胶囊的表面的方法。所述方法包含使所述表面经历低压下的易于形成等离子体的气体，并使所述气体形成等离子体。为了获得所述橡胶材料表面的排斥性质，使用了(含)氟气体例如四氟甲烷或六氟乙烷。优选所述处理被进行直到获得所述橡胶材料具有被所述处理改性的性能的表面层，所述表面层的预期寿命与所述的预期寿命相当。
- 制备纳米结构的方法-201180022584.7
- 莫塞斯·M·大卫;余大华;安德鲁·K·哈策尔 - 3M创新有限公司
- 2011-04-22 - 2013-01-16 - B29C59/14
- 本发明提供一种制备纳米结构的方法，其包括：通过等离子体化学气相沉积法向基底(101)的主表面(103)施加薄、无规、不连续的掩蔽层(105)。基底(101)可以为聚合物、无机材料、合金或固体溶液。掩蔽层(105)可以包括使用反应气体的等离子体化学气相沉积法的反应产物，所述反应气体包括选自以下的化合物：有机硅化合物、烷基金属、金属异丙醇盐、金属乙酰丙酮化物和金属卤化物。随后，通过反应离子蚀刻，蚀刻掉未受掩蔽层(105)保护的基底(101)的部分(107)以制备纳米结构。
- 专利分类
