[实用新型]集成电路静电防护的二极管触发可控硅有效
| 申请号： | 201821632602.9 | 申请日： | 2018-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN208848907U | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;徐泽坤;沈宏宇;郭维;胡涛 | 申请（专利权）人： | 浙江大学昆山创新中心 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/74 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215347 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种集成电路静电防护的二极管触发可控硅，包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区连接第一N+注入区，第二N阱上设置有第三N+注入区，第三N+注入区和第二N+注入区均接入电学阴极。本实用新型触发电压小，鲁棒性高，导通电阻小，可以对集成电路进行有效的ESD防护。 | ||
| 搜索关键词： | 注入区 集成电路 本实用新型 二极管触发 静电防护 电学 可控硅 衬底 阴极 触发电压 导通电阻 依次连接 阳极 鲁棒性 | ||
【主权项】：
1.集成电路静电防护的二极管触发可控硅，其特征在于：包括第一衬底，第一衬底上设置有依次连接的第一N阱、第一P阱和第二N阱，第一N阱上设置有第一P+注入区和第一N+注入区，第一P+注入区接入电学阳极，第一P阱上设置有第二P+注入区和第二N+注入区，第二P+注入区连接第一N+注入区，第二N阱上设置有第三N+注入区，第三N+注入区和第二N+注入区均接入电学阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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