[实用新型]一种掩膜版的防尘保护结构有效
申请号: | 201821625924.0 | 申请日: | 2018-09-30 |
公开(公告)号: | CN208937906U | 公开(公告)日: | 2019-06-04 |
发明(设计)人: | 徐文权 | 申请(专利权)人: | 广州仕元光电股份有限公司 |
主分类号: | G03F1/64 | 分类号: | G03F1/64 |
代理公司: | 广州德科知识产权代理有限公司 44381 | 代理人: | 万振雄;林玉旋 |
地址: | 510730 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型涉及半导体器件的加工工艺技术领域,公开了一种掩膜版的防尘保护结构,包括掩膜版、保护膜和框架,框架由多根首尾相连的边框构成,每根边框包括两个相互平行的第一面和第二面,所有边框的第一面共面组成框架的第一支撑面,所有边框的第二面共面组成框架的第二支撑面,框架的第一支撑面支撑在掩膜版上,保护膜支撑在框架的第二支撑面上,保护膜和框架围成的空间覆盖掩膜版的图案区域,边框的位于框架内侧的面设有沿边框长度方向布置的内凹的弧形槽。本实用新型在边框上设置内凹的弧形槽,使边框容易产生形变来吸收保护膜的部分张力,从而降低甚至消除对复制到晶片上的图案的效果的影响。 | ||
搜索关键词: | 边框 掩膜版 保护膜 支撑面 本实用新型 防尘保护 第二面 弧形槽 内凹 支撑 加工工艺技术 半导体器件 空间覆盖 首尾相连 图案区域 形变 晶片 沿边 平行 复制 图案 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜版的防尘保护结构,包括掩膜版、保护膜和用于固定保护膜的框架,掩膜版上设有图案区域,其特征在于,所述框架由多根首尾相连的边框构成,每根所述边框包括两个相互平行的第一面和第二面,所有所述边框的所述第一面共面组成所述框架的第一支撑面,所有所述边框的所述第二面共面组成所述框架的第二支撑面,所述框架的所述第一支撑面支撑在所述掩膜版上,所述保护膜支撑在所述框架的所述第二支撑面上,所述保护膜和所述框架围成的空间覆盖所述掩膜版的所述图案区域,所述边框的位于所述框架内侧的面设有沿所述边框长度方向布置的内凹的弧形槽。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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