[实用新型]一种掩膜版的防尘保护结构

说明书

本实用新型涉及半导体器件的加工工艺技术领域，公开了一种掩膜版的防尘保护结构，包括掩膜版、保护膜和框架，框架由多根首尾相连的边框构成，每根边框包括两个相互平行的第一面和第二面，所有边框的第一面共面组成框架的第一支撑面，所有边框的第二面共面组成框架的第二支撑面，框架的第一支撑面支撑在掩膜版上，保护膜支撑在框架的第二支撑面上，保护膜和框架围成的空间覆盖掩膜版的图案区域，边框的位于框架内侧的面设有沿边框长度方向布置的内凹的弧形槽。本实用新型在边框上设置内凹的弧形槽，使边框容易产生形变来吸收保护膜的部分张力，从而降低甚至消除对复制到晶片上的图案的效果的影响。

技术领域

本实用新型涉及半导体器件的加工工艺技术领域，更具体地是涉及一种掩膜版的防尘保护结构。

背景技术

在半导体集成电路制造工艺中，光刻工艺是最为重要的步骤之一。光刻工艺的好坏直接影响半导体器件的关键尺寸和产品质量。在光掩膜基版上刻蚀出掩膜图形后形成掩膜版，掩膜版是光刻工艺中复制图形的基准和蓝本，掩膜版上的任何缺陷都会对最终的图形精度产生严重影响。

如果空气中的尘埃颗粒等污染物落在掩膜版上，在成像时，这些污染物的像平面就会落在晶片表面，就会给生产带来严重影响。为此一些生产商利用保护膜对掩膜版进行防尘保护，且保护膜和掩膜版保持足够远的距离，这样在成像时，落在保护膜上的污染物的像平面不会落在晶片表面，从而减小污染物对生产的影响。

图1和图2示出了现有技术中的一种掩膜版的防尘保护结构，包括掩膜版1、框架2和保护膜3。掩膜版1上设有图案区域，保护膜3被紧绷在框架2上。保护膜3具有光学透明的特性，通常采用硝化纤维或者醋酸纤维素制成。保护膜3和框架2限定的空间覆盖掩膜版1上的图案区域，以将图案区域密封，保护掩膜版1上的图案区域不受尘埃颗粒等污染。

但在实际生产中，由于保护膜3被紧绷在框架2上，因此保护膜3对框架2会产生一定的张力，并且会传递到掩膜版1上，使掩膜版1产生微小形变，虽然只是微小形变，也会导致图案区域偏离预定的位置，从而影响复制到晶片上的图案的效果。

实用新型内容

本实用新型提供了一种掩膜版的防尘保护结构，可有效减少作用在掩膜版上的张力，从而有效避免掩膜版受张力作用而产生形变的问题。

本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的。

一种掩膜版的防尘保护结构，包括掩膜版、保护膜和用于固定保护膜的框架，掩膜版上带有图案区域，框架由多根首尾相连的边框构成，每根边框包括两个相互平行的第一面和第二面，所有边框的第一面共面组成框架的第一支撑面，所有边框的第二面共面组成框架的第二支撑面，框架的第一支撑面支撑在掩膜版上，保护膜支撑在框架的第二支撑面上，保护膜和框架围成的空间覆盖掩膜版的图案区域，边框的位于框架内侧的面设有沿边框长度方向布置的内凹的弧形槽。

本方案在边框上设置内凹的弧形槽，使边框容易产生形变来吸收保护膜的部分张力，使掩膜版受到的张力变小，从而减小甚至消除掩膜版的形变，降低甚至消除对复制到晶片上的图案的效果的影响，提高光刻工艺的产品合格率。

作为进一步改进的结构，上述的边框的位于框架外侧的面也设有沿边框长度方向布置的内凹的弧形槽，这样边框可以更加容易产生形变来吸收保护膜的部分张力，进一步降低甚至消除对复制到晶片上的图案的效果的影响。

作为进一步改进的结构，上述的边框的横截面为两侧分别带有弧形内凹缺口的方形面，弧形内凹缺口即为边框上的弧形槽的横截面，可以简化边框结构，降低加工难度和生产成本。

作为进一步改进的结构，上述的边框的横截面的两个弧形内凹缺口对称布置，这样可以使边框更加容易产生形变。

作为进一步改进的结构，上述的框架为方形框。

作为进一步改进的结构，上述的掩膜版、框架和保护膜之间为粘合连接。