[实用新型]一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201821596246.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208923144U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/161 | 分类号： | H01L29/161;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请提供一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管，该硅基锗锡高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III‑V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述缓冲层厚度大于500nm。根据本实施例,能够提高晶体管的高速性能，并且，GeSn容易与Si基集成电路制造技术集成。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道层 高电子迁移率晶体管 锗锡 缓冲层 间隔层 硅基 硅基衬 势垒层 盖层 半导体材料 二维电子气 基集成电路 高速性能 技术集成 界面形成 晶体管 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管包括：硅基衬底；位于所述硅基衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III‑V族半导体材料，其中，所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，所述缓冲层厚度大于500nm。
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