[实用新型]一种硅基锗锡高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201821596246.X | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN208923144U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌 | 申请（专利权）人： | 上海新微科技服务有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/161 | 分类号： | H01L29/161;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟道层 高电子迁移率晶体管 锗锡 缓冲层 间隔层 硅基 硅基衬 势垒层 盖层 半导体材料 二维电子气 基集成电路 高速性能 技术集成 界面形成 晶体管 申请 制造 | ||
1.一种硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管包括：
硅基衬底；
位于所述硅基衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的沟道层，所述沟道层为锗锡(GeSn)材料；以及
位于所述沟道层上的间隔层，势垒层和盖层，所述间隔层，势垒层和盖层为III-V族半导体材料，
其中，
所述间隔层与沟道层的界面形成二维电子气，
所述缓冲层厚度大于500nm。
2.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，
所述硅基衬底的材料为硅或绝缘体上的硅，
所述缓冲层材料为锗或者锗硅(SiGe)。
3.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，
所述沟道层的材料为Ge(1-x)Snx，其中，0.06<x<0.3。
4.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，
所述间隔层，势垒层和盖层的材料为铟铝磷(InAlP)，铟铝砷(InAlAs)，铟镓磷(InGaP)或者铟镓砷(InGaAs)。
5.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，
所述间隔层未掺杂，所述势垒层和所述盖层均掺杂，并且，所述盖层的掺杂浓度高于所述势垒层的掺杂浓度。
6.如权利要求1所述的硅基锗锡(GeSn)高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述势垒层与栅电极连接，
所述盖层与源电极和漏电极连接。
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