[实用新型]倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置有效

专利信息
申请号: 201821579160.6 申请日: 2018-09-27
公开(公告)号: CN208904051U 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 杨勇 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/10;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/62
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置,所述倒装芯片包括金属栅层,具有相互平行排列的金属线;晶片衬底,设于所述金属栅层的下方;N掺杂层及负极导线,均设于所述晶片衬底的下方;量子阱层,设于所述N掺杂层的下方;P掺杂层,设于所述量子阱层的下方;旋光物质层,设于所述P掺杂层的下方;反射层,设于所述旋光物质层的下方;正极导线,设于所述反射层的下方。本实用新型的倒装芯片、面光源及采用该面光源的显示装置,有效提升了面光源在大角度方向的出光效率,扩大了面光源的可视角范围。
搜索关键词: 面光源 倒装芯片 显示装置 本实用新型 金属栅层 量子阱层 旋光物质 反射层 衬底 晶片 出光效率 负极导线 正极导线 金属线 可视角
【主权项】:
1.一种倒装芯片,其特征在于,包括金属栅层,具有若干相互平行排列的金属线;晶片衬底,设于所述金属栅层的下方;N掺杂层及负极导线,均设于所述晶片衬底的下方;量子阱层,设于所述N掺杂层的下方;P掺杂层,设于所述量子阱层的下方;旋光物质层,设于所述P掺杂层的下方;反射层,设于所述旋光物质层的下方;正极导线,设于所述反射层的下方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821579160.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top