[实用新型]一种半导体器件

摘要

本实用新型提供一种半导体器件，在器件结构之间形成了隔离区，该隔离区包括第一隔离、第二隔离以及第一隔离和第二隔离之间反掺杂区，该反掺杂区与器件结构的源漏区具有相反的掺杂类型，通过包含有反掺杂区的隔离区，起到提高器件之间隔离效果的目的，该隔离区尤其适用于提高高压器件的隔离效果。该器件结构在提高器件隔离效果的同时，有利于进一步降低器件间的尺寸，提高器件集成度，且不会对器件的其他性能造成影响，提高器件之间的隔离效果以及器件性能。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；所述衬底上的第一器件结构，所述第一器件结构包括第一栅极以及第一栅极两侧的第一源漏区，所述第一源漏区具有第一掺杂类型；相邻第一器件结构之间的衬底中的隔离区，所述隔离区包括：一第一器件结构侧的第一隔离、另一第一器件结构侧的第二隔离，以及第一隔离和第二隔离之间的衬底中的反掺杂区，所述反掺杂区具有第二掺杂类型。