[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201821568214.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN208690234U | 公开（公告）日： | 2019-04-02 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;刘威;甘程;吴昕 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 党丽;王宝筠 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市东湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离区 隔离效果 器件结构 掺杂区 隔离 半导体器件 本实用新型 器件集成度 掺杂类型 高压器件 降低器件 器件隔离 器件性能 源漏区 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
所述衬底上的第一器件结构，所述第一器件结构包括第一栅极以及第一栅极两侧的第一源漏区，所述第一源漏区具有第一掺杂类型；
相邻第一器件结构之间的衬底中的隔离区，所述隔离区包括：一第一器件结构侧的第一隔离、另一第一器件结构侧的第二隔离，以及第一隔离和第二隔离之间的衬底中的反掺杂区，所述反掺杂区具有第二掺杂类型。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底具有第一区域和第二区域，所述第一器件结构及所述隔离区位于所述第一区域；还包括：
所述第二区域上的第二器件结构，所述第二器件包括第二栅极以及所述第二栅极两侧的第二源漏区，所述第二源漏区具有第二掺杂类型，所述第一区域的反掺杂区与所述第二源漏区具有基本相同的掺杂浓度和掺杂深度。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为n型。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件结构的源漏工作电压大于20V，所述第二器件结构具有与所述第一器件结构不同的源漏工作电压。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第二器件结构为标准MOS器件。
6.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一器件结构用于形成3DNAND存储器的驱动电路。
7.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第二区域的隔离结构仅包括第三隔离。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述反掺杂区的深度较所述第一隔离和所述第二隔离的深度更浅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
