[实用新型]一种LED芯片结构有效
| 申请号： | 201821387931.1 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN208722913U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙旭;范慧丽;戴志祥;陈翔;蔡吉明 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种可提升抗静电能力LED芯片结构，其至少包括衬底；位于衬底上的N型半导体层；位于N型半导体层上的多量子阱层；位于多量子阱层上的P型半导体层；位于P型半导体层上的电流阻挡层；以及位于N型半导体层上的N型电极和位于透明导电层上的P型电极，其特征在于：所述P型电极设置有一引脚线沿一水平轴延伸，所述引脚线的末端设置有一截止引脚，所述截止引脚为闭合的环状结构。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 引脚线 衬底 引脚 半导体技术领域 截止 本实用新型 电流阻挡层 抗静电能力 透明导电层 闭合 环状结构 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片结构，其至少包括衬底；位于衬底上的N型半导体层；位于N型半导体层上的多量子阱层；位于多量子阱层上的P型半导体层；位于P型半导体层上的电流阻挡层；以及位于N型半导体层上的N型电极和位于电流阻挡层之上的P型电极，其特征在于：所述P型电极上设置有一沿水平轴延伸的引脚线，所述引脚线的末端设置有一截止引脚，所述截止引脚为闭合的环状结构。
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