[实用新型]一种不增加静态电流的LDO输出过压保护结构

摘要

一种不增加静态电流的LDO输出过压保护结构包括LDO主体、负载电阻、输出电容和过压保护电路结构；LDO主体由误差放大器、功率管、前馈补偿电容和电阻分压器组成；电阻分压器由电阻R1、R2串接而成；过压保护电路结构由NMOS管N1、N2、N3、N4和PMOS管P1、P2组成；NMOS管N1、N2、N3是以二极管连接的形式串联在输出端，用作稳压二极管；NMOS管N3和NMOS管N4、PMOS管P1和PMOS管P2分别形成电流镜结构；输出端串联的NMOS管N1、N2、N3的个数由输出电压的过压保护值决定，根据需要进行增加或减少。本实用新型过压保护电路结构部分不额外增加LDO的静态电流，减小了LDO的静态功耗，延长电子产品的待机时间；当负载恢复到正常值时，LDO环路恢复正常工作需要的时间比较短。

主权项

1.一种不增加静态电流的LDO输出过压保护结构，其特征在于：包括LDO主体、负载电阻（Rload）、输出电容（Cout）和过压保护电路结构；所述LDO主体由误差放大器(ERROR AMP)、功率管(Ppass)、前馈补偿电容（CFB）和电阻分压器组成；所述误差放大器（ERROR AMP）的正输入端接基准电压，负输入端接输出电压的反馈端，输出端接功率管(Ppass)的栅极；所述电阻分压器由电阻R1、R2串接而成，连接处形成输出电压的反馈端，另一端电阻R1接地，电阻R2接功率管(Ppass)的漏极；所述功率管(Ppass)的源极接电源；所述前馈补偿电容（CFB）跨接在电阻R2的两端；所述负载电阻（Rload）和所述输出电容（Cout）并联，并联后一端接功率管(Ppass)的漏极，另一端接地；所述过压保护电路结构由NMOS管N1、N2、N3、N4和PMOS管P1、P2组成；所述NMOS管N1、N2、N3是以二极管连接的形式串联在输出端，用作稳压二极管；所述NMOS管N3和NMOS管N4、PMOS管P1和PMOS管P2分别形成电流镜结构；所述PMOS管P2的漏端与功率管(Ppass)的栅极相连接，源极与PMOS管P1的源极连接后接电源，所述PMOS管P1的漏极与栅极短接后接NMOS管N4的漏极，所述NMOS管N3、N4的源极相连后接地。