[实用新型]一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路

摘要

本实用新型公开一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路；解决的技术问题：针对现有X波段的GaN功率放大管偏置特性在调试过程和使用过程时先加正电会使放大管击穿的问题。采用的技术方案：一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，包括滤波电容，限流电阻，延时电容，PNP三极管，稳压二极管，电感，P沟道MOS管和NPN三极管。优点：本电路具有X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，可以实现当负电悬空或因器件导致负电为0时正电输出为0V从而保护GaN功率放大管，使用该电路技术提高了GaN功率放大管稳定性和寿命，同时结构简单、成本低。

主权项

1.一种X波段的GaN功率放大器的定序偏置电路，其特征在于，包括限滤波电容(1)、第一限流电阻(2)、延时电容(3)、第一PNP三极管(4)、第二限流电阻(5)、P滤波电容(6)、稳压二极管(7)、第三限流电阻(8)、电感(9)、第四限流电阻(10)、第二PNP三极管(11)、第一滤波电容(12)，第二滤波电容(13)、第五限流电阻(14)、P沟道MOS管(15)、第六限流电阻(16)、电阻(17)和NPN三极管(18)，定义负电压输入通道为Vgg，负电压输入通道Vgg与第二限流电阻(5)和第一限流电阻(2)的一端分别连接，并且负电压输入通道Vgg与滤波电容(1)相连且滤波电容(1)接地，第二限流电阻(5)的另一端连接第一PNP三极管(4)的集电极，第一限流电阻 (2)的另一端连接第一PNP三极管(4)的基极，在第一限流电阻 (2)与第一PNP三极管(4)的基极之间设置延时电容(3)且延时电容(3)接地；第一PNP三极管(4)的发射极连接稳压二极管(7)阳极，稳压二极管(7)阴极与第三限流电阻(8)的一端和第二PNP三极管(11)的基极分别相连，第三限流电阻(8)的另一端与滤波电容(6)的一端、第四限流电阻(10)的一端和电感(9)的一端分别相连，并且滤波电容(6)接地、电感(9)的另一端接+5V，第四限流电阻(10)的另一端与第二PNP三极管(11)集电极和电阻(17)相连且第二PNP三极管(11)发射极接地，电阻(17)另一端与NPN三极管(18)基极相连，NPN三极管(18)集电极与第六限流电阻（16）相连且NPN三极管(18)发射极接地，第六限流电阻（16）另一端与第五限流电阻(14)和P沟道MOS管(15)的G极分别相连，P沟道MOS管(15)S极接正电压，P沟道MOS管(15)D极为正电压输出，第五限流电阻(14)另一端分别与第一滤波电容(12)、第二滤波电容(13)和正电压相连且第一滤波电容(12)和第二滤波电容(13)接地。