[实用新型]边磁体组件、反应腔室及半导体处理设备有效
| 申请号： | 201821252664.7 | 申请日： | 2018-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN208776830U | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 赵可可;李冰;赵康宁 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供的一种边磁体组件、反应腔室及半导体处理设备，边磁体组件用于约束且使反应腔室内的溅射离子均匀沉积在晶圆表面，其包括边磁体和升降机构，升降机构与边磁体连接，用于调节边磁体在反应腔室轴向上的高度，进而调节边磁体与晶圆之间的距离，当需要优化工艺结果时，可以灵活调节边磁铁的位置以达到满意的工艺结果。 | ||
| 搜索关键词： | 磁体组件 反应腔室 半导体处理设备 工艺结果 升降机构 本实用新型 晶圆表面 均匀沉积 反应腔 磁铁 溅射 晶圆 离子 室内 灵活 优化 | ||
【主权项】：
1.一种边磁体组件，用于约束且使反应腔室内的溅射离子均匀沉积在晶圆表面，其特征在于，包括边磁体结构和升降机构，所述升降机构与所述边磁体结构连接，以调节所述边磁体结构在所述反应腔室轴向上的高度。
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