[实用新型]图像传感器有效
| 申请号： | 201821099381.3 | 申请日： | 2018-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN208570609U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | U·博提格;S·伯萨克 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王美石;姚开丽 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及图像传感器，包括均匀大小的成像像素的阵列，所述成像像素的阵列包括：第一成像像素，所述第一成像像素包括被第一滤色器元件覆盖的第一光敏区域，其中所述第一滤色器元件包括具有第一体积的滤色材料；以及第二成像像素，所述第二成像像素包括被第二滤色器元件覆盖的第二光敏区域，其中所述第二滤色器元件包括具有第二体积的滤色材料，并且其中所述第二体积小于所述第一体积。 | ||
| 搜索关键词： | 成像像素 滤色器元件 图像传感器 光敏区域 滤色材料 本实用新型 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种图像传感器，所述图像传感器包括均匀大小的成像像素的阵列，所述成像像素的阵列包括：第一成像像素，所述第一成像像素包括被第一滤色器元件覆盖的第一光敏区域，其中所述第一滤色器元件包括具有第一体积的滤色材料；以及第二成像像素，所述第二成像像素包括被第二滤色器元件覆盖的第二光敏区域，其中所述第二滤色器元件包括具有第二体积的滤色材料，并且其中所述第二体积小于所述第一体积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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