[实用新型]一种氮化镓芯片的三相全桥电路及智能功率模块有效
| 申请号： | 201821053251.6 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN208739041U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李孟;罗广豪;李幸辉 | 申请（专利权）人： | 镓能半导体（佛山）有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/5387 | 分类号： | H02M7/5387;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京易捷胜知识产权代理事务所(普通合伙) 11613 | 代理人： | 齐胜杰 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区桂城街道宝石*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种氮化镓芯片的三相全桥电路及智能功率模块，该智能功率模块IPM内部的三相全桥电路包括6个功率开关器件和提供6个功率开关器件之间三相全桥电路连接走线的PCB板，所述6个功率开关器件采用至少一个氮化镓集成组芯片形成，所述至少一个氮化镓集成组芯片正装在所述PCB板上；每一个氮化镓集成组芯片的所有连接焊盘均位于远离所述PCB板的一面，且采用引线与所述PCB板上对应的焊盘焊接。本实用新型在IPM里使用GaN HEMT取代IGBT或MOS，在保持原有的生产线设备和工艺上，减少IPM的体积，降低IPM在SIP封装时的工艺复杂度，降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 三相全桥电路 功率开关器件 氮化镓 智能功率模块 本实用新型 氮化镓芯片 智能功率模块IPM 芯片 工艺复杂度 生产线设备 连接焊盘 芯片正装 原有的 焊盘 走线 封装 焊接 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓芯片的三相全桥电路，包括：6个功率开关器件和提供6个功率开关器件之间三相全桥电路连接走线的PCB板，其特征在于，所述6个功率开关器件采用至少一个氮化镓集成组芯片形成，所述至少一个氮化镓集成组芯片正装在所述PCB板上。
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