[实用新型]一种氮化镓芯片的三相全桥电路及智能功率模块

权利要求书

1.一种氮化镓芯片的三相全桥电路，包括：6个功率开关器件和提供6个功率开关器件之间三相全桥电路连接走线的PCB板，其特征在于，所述6个功率开关器件采用至少一个氮化镓集成组芯片形成，所述至少一个氮化镓集成组芯片正装在所述PCB板上。

2.根据权利要求1所述的三相全桥电路，其特征在于，所述至少一个氮化镓集成组芯片正装在所述PCB板上，包括：

所述至少一个氮化镓集成组芯片的所有连接焊盘均位于远离所述PCB板的一面，且采用引线与所述PCB板上对应的焊盘绑定连接。

3.根据权利要求1所述的三相全桥电路，其特征在于：所述6个功率开关器件中的每一个分别对应于所述至少一个氮化镓集成组芯片中的一个氮化镓高电子迁移率晶体管结构。

4.根据权利要求1至3任一所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述三相全桥电路包括六个正装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，每个所述氮化镓集成组芯片内部集成了单个氮化镓高电子迁移率晶体管结构，所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片；

或者，

所述三相全桥电路包括三个正装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，每个所述氮化镓集成组芯片内部集成了半桥形式的氮化镓高电子迁移率晶体管结构，所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片；

或者，

所述三相全桥电路包括两个正装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，每个所述氮化镓集成组芯片内部集成了三个氮化镓高电子迁移率晶体管结构，且所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片，其中一个氮化镓集成组芯片用作所述三相全桥电路高端的功率开关，另一个所述氮化镓集成组芯片用作所述三相全桥电路低端的功率开关；

或者，

所述三相全桥电路包括一个正装在所述PCB板上的氮化镓集成组芯片，所述氮化镓集成组芯片内部集成六个氮化镓高电子迁移率晶体管结构，且所述氮化镓集成组芯片的形式是封装后的芯片或未经封装的裸芯片。

5.根据权利要求4所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述三相全桥电路的输入端、输出端和用于与外部电路连接的连接端均为所述PCB板上的焊盘电极。

6.根据权利要求4所述的三相全桥电路，其特征在于：

所述氮化镓集成组芯片的内部还包括用于驱动内部氮化镓高电子迁移率晶体管结构的驱动电路，所述氮化镓集成组芯片内部每一个氮化镓高电子迁移率晶体管结构对应一个驱动电路。

7.一种氮化镓芯片的智能功率模块，其特征在于，该智能功率模块内部的三相全桥电路采用上述权利要求1至6任一所述的三相全桥电路。

8.根据权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，

所述智能功率模块还包括：方便外部控制器驱动和/或保护所述智能功率模块的驱动组件和/或保护组件；

所述驱动组件和/或所述保护组件分别借助于所述PCB板上的焊盘电极与所述三相全桥电路连接。