[实用新型]基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片有效
| 申请号： | 201821041759.4 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN208722914U | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王洪;文茹莲;胡晓龙 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、量子陷层、p‑AIGaN层、p‑GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与n‑GaN层接触连接，所述n‑GaN层与量子陷层接触连接，所述量子陷层与p‑AIGaN层接触连接，所述p‑AIGaN层与p‑GaN层接触连接，所述p‑GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n‑GaN层上，所述金属电极包括P电极和N电极，所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述N电极穿过钝化保护层与n‑GaN层接触连接。 | ||
| 搜索关键词： | 接触连接 金属掺杂 透明导电薄层 钝化保护层 量子 紫外LED芯片 蓝宝石 金属电极 衬底 穿过 本实用新型 覆盖 | ||
【主权项】：
1.基于金属掺杂ITO透明导电薄膜的紫外LED芯片，其特征在于：包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、n‑GaN层、量子陷层、p‑AIGaN层、p‑GaN层、金属掺杂ITO透明导电薄层、金属电极和钝化保护层，所述蓝宝石衬底与GaN缓冲层接触连接，所述GaN缓冲层与n‑GaN层接触连接，所述n‑GaN层与量子陷层接触连接，所述量子陷层与p‑AIGaN层接触连接，所述p‑AIGaN层与p‑GaN层接触连接，所述p‑GaN层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述钝化保护层接触覆盖在金属掺杂ITO透明导电薄层和n‑GaN层上，所述金属电极包括P电极和N电极，所述P电极穿过钝化保护层与金属掺杂ITO透明导电薄层接触连接，所述N电极穿过钝化保护层与n‑GaN层接触连接。
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