[实用新型]一种反应腔及MOCVD系统有效
申请号: | 201821006994.8 | 申请日: | 2018-06-27 |
公开(公告)号: | CN208440697U | 公开(公告)日: | 2019-01-29 |
发明(设计)人: | 张新勇 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技(北京)有限公司 |
主分类号: | C23C16/46 | 分类号: | C23C16/46 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 102209 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及半导体材料制造设备领域,公开了一种反应腔及MOCVD系统,包括气体输送装置、托盘和加热装置,所述气体输送装置设在反应腔的腔顶,所述托盘上侧设有衬底,所述托盘下侧设有隔离罩,反应腔的底部设有透光腔底,所述加热装置设在所述透光腔底的外侧,反应腔的腔壁设有排气管路。将加热装置设置在反应腔外侧,简化了反应腔内部构造,降低制造成本,透光腔底与加热装置配合,保证对托盘提供足够的热量,加热装置外置,维护便捷,同时,有效防止反应物附着在加热装置上腐蚀加热装置,加热温度均匀,保证产品质量,提高加热装置的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 加热装置 反应腔 托盘 透光腔 气体输送装置 半导体材料 本实用新型 内部构造 排气管路 使用寿命 温度均匀 制造成本 制造设备 反应物 隔离罩 衬底 附着 腔壁 腔顶 外置 加热 保证 腐蚀 配合 维护 | ||
【主权项】:
1.一种反应腔,其特征在于,包括气体输送装置、托盘和加热装置,所述气体输送装置设在反应腔的腔顶,所述托盘上侧设有衬底,所述托盘下侧设有隔离罩,反应腔的底部设有透光腔底,所述加热装置设在所述透光腔底的外侧,反应腔的腔壁设有排气管路。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东泰高科装备科技(北京)有限公司,未经东泰高科装备科技(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821006994.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:陶瓷涂层活塞精密铸造模具
- 下一篇:一种石墨烯的清洁装置
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的