[实用新型]一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管有效
申请号: | 201820973656.5 | 申请日: | 2018-06-25 |
公开(公告)号: | CN209447848U | 公开(公告)日: | 2019-09-27 |
发明(设计)人: | 彭应全;廖光萌 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | H01L51/40 | 分类号: | H01L51/40;H01L51/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 730000 甘肃省兰*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管。利用无机半导体的高迁移率,多组分有机体异质结的高光吸收效率,以及无机与有机吸收光谱的互补,本实用新型具有光响应度更高,光谱响应范围更宽的优点。从下至上,基于本实用新型的宽光谱光敏二极管由砷化铟晶片、多组分有机体异质结层、空穴阻挡层、三氧化二锑(Sb2O3)/银(Ag)/三氧化二锑薄膜和钛/金薄膜组成。其中透明导电三层薄膜,三氧化二锑/银/三氧化二锑,采用电子束真空热蒸发方法制备。 | ||
搜索关键词: | 有机体 三氧化二锑 本实用新型 光敏二极管 宽光谱 砷化铟 异质结 薄膜 电子束真空 空穴阻挡层 无机半导体 高迁移率 光谱响应 光响应度 透明导电 吸收光谱 吸收效率 异质结层 金薄膜 热蒸发 高光 晶片 三层 制备 | ||
【主权项】:
1.一种基于多组分有机体异质结和砷化铟的宽光谱光敏二极管,其特征是它由砷化铟晶片兼作衬底、多组分有机体异质结层、空穴阻挡层、三氧化二锑/银/三氧化二锑薄膜、钛/金薄膜组成,从下至上,其顺序依次是钛/金薄膜,砷化铟晶片,多组分有机体异质结层,空穴阻挡层和三氧化二锑/银/三氧化二锑薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州大学,未经兰州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201820973656.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高覆盖率发光二极管载板
- 下一篇:一种便于密封的柱形锂电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择