[实用新型]复合单晶薄膜有效
| 申请号： | 201820963295.6 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN208298788U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 朱厚彬;李真宇;胡文;胡卉;李洋洋 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王慧敏;韩芳 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新区港兴*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种复合单晶薄膜，所述复合单晶薄膜可以包括以下七层结构：衬底；第一过渡层，位于衬底上；第一隔离层，位于第一过渡层上；第二过渡层，位于第一隔离层上；第一薄膜层，位于第二过渡层上；第三过渡层，位于第一薄膜层上；以及第二薄膜层，位于第三过渡层上。本实用新型可以将第一薄膜层和第二薄膜层两者各种的优异特性结合，从而提高了复合单晶薄膜的性能，并且具有表面平整的过渡层可减少信号在传播过程中的散射并分散单晶薄膜之间的应力，以减少单晶薄膜的缺陷和传输损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡层 单晶薄膜 薄膜层 复合 隔离层 衬底 本实用新型 表面平整 传播过程 传输损耗 减少信号 七层结构 特性结合 散射 | ||
【主权项】：
1.一种复合单晶薄膜，其特征在于，所述复合单晶薄膜包括：衬底；第一过渡层，位于衬底上；第一隔离层，位于第一过渡层上；第二过渡层，位于第一隔离层上；第一薄膜层，位于第二过渡层上；第三过渡层，位于第一薄膜层上；以及第二薄膜层，位于第三过渡层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
