[实用新型]一种MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201820874853.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN208282972U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 周敬训;罗守茹 | 申请（专利权）人： | 无锡莱顿电子有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/22 | 分类号： | G01L1/22 |
| 代理公司： | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人： | 聂启新 |
| 地址： | 214072 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种MEMS压力传感器，压力传感器一种MEMS压力传感器，采用SOI结构；所述SOI结构由下至上依次包括第一硅层、第一氧化物层、第二硅层；在所述第二硅层之上刻蚀有四个电阻；所述四个电阻连接为惠斯通电桥；所述四个电阻为单晶体硅电阻，其电阻值由第二硅层自身尺寸和掺杂浓度决定的。通过本实用新型的技术和制作方法所研制的MEMS压力传感器，稳定性好，耐温高，整体的性能更佳。 | ||
| 搜索关键词： | 硅层 电阻 本实用新型 惠斯通电桥 压力传感器 电阻连接 氧化物层 单晶体 硅电阻 刻蚀 耐温 掺杂 制作 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS压力传感器，其特征在于，采用SOI结构；所述SOI结构由下至上依次包括第一硅层(1)、第一氧化物层(2)、第二硅层(3)；在所述第二硅层(3)之上刻蚀有四个电阻(3.1)；所述四个电阻(3.1)连接为惠斯通电桥；所述四个电阻(3.1)为单晶体硅电阻，其电阻值由第二硅层(3)自身尺寸和掺杂浓度决定的，如下所示：R＝ρL/S上式中，R为电阻值，ρ为掺杂浓度，L为第二硅层(3)的厚度，S为第二硅层(3)的截面积。
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