[实用新型]一种直流输入过压保护电路有效

专利信息
申请号: 201820853399.1 申请日: 2018-06-04
公开(公告)号: CN208272626U 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 胡清;林国军 申请(专利权)人: 深圳巴斯巴科技发展有限公司
主分类号: H02H9/04 分类号: H02H9/04;H02H3/20;H02H3/06;H02M1/32;H02H7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市坪*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本新型涉及电路领域,一种直流输入过压保护电路,包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路;所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间,所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与接地端之间。所述耐高压MOS器件的漏极用于接入供电电源电压、源极用于连接低压电路的供电端。所述自举电路通过偏置电路获得偏置电流而将耐高压MOS器件的栅极电位抬高,使得所述耐高压MOS器件的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压。有益效果:输入过压时起作用,正常电压时间歇打开和关闭电路;过压时故障可自恢复;保护电路线路损耗低;使用器件数量少,便于集成应用,成本低。
搜索关键词: 耐高压 偏置电路 自举电路 过压保护电路 低压电路 直流输入 源极 供电电源电压 电路领域 电路线路 电源电压 工作电压 关闭电路 集成应用 偏置电流 输入过压 源极输出 栅极电位 正常电压 供电端 接地端 自恢复 漏极 抬高
【主权项】:
1.一种直流输入过压保护电路,包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路;其特征在于,其中所述耐高压MOS器件为Q1,包括漏极、栅极和源级;所述偏置电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2和二极管D1;所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间,所述自举电路包括电阻R3和二极管D2;所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与电容C1之间。
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