[实用新型]一种直流输入过压保护电路

说明书

本新型涉及电路领域，一种直流输入过压保护电路，包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路；所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间，所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与接地端之间。所述耐高压MOS器件的漏极用于接入供电电源电压、源极用于连接低压电路的供电端。所述自举电路通过偏置电路获得偏置电流而将耐高压MOS器件的栅极电位抬高，使得所述耐高压MOS器件的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压。有益效果：输入过压时起作用，正常电压时间歇打开和关闭电路；过压时故障可自恢复；保护电路线路损耗低；使用器件数量少，便于集成应用，成本低。

技术领域

本新型涉及到电路领域，特别是一种直流输入过压保护电路。

背景技术

目前市场上所使用的保护电路：1、对于采用二次电源或电池供电的DC/DC转换电路来说，它的输入侧还有其它供电设备，如继电器、电机、PTC加热器等感性负载；因此输入电压存在电压波动范围大的特点；其次，其它供电设备在开启和停止工作时会有抛负载特性，此时会将输入电压提高至额定电压几倍的值；2、根据该背景要求，需要一种在现有应用参数不变条件下抑制该电压的解决办法；常规的保护办法是在前端增加TVS二极管+保险丝，当过压时通过钳位器件消耗能量，当能量持续时熔断前面的保险。3、由于保险是不可恢复的，因此对产品而言维护性差。

新型内容

为解决上述技术问题，本新型提供了一种改进迷你模型的可调节测量工具。

本新型提供的技术方案是：一种直流输入过压保护电路，包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路；其中所述耐高压MOS器件为Q1，包括漏极、栅极和源级；所述偏置电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2和二极管D1；所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间，所述自举电路包括电阻R3和二极管D2；所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与电容C1之间。

在进一步优化的技术方案中，所述耐高压MOS器件的漏极用于接入供电电源电压、源极用于连接低压电路的供电端。

在进一步优化的技术方案中，所述自举电路通过偏置电路获得偏置电流而将耐高压MOS器件的栅极电位抬高，使得所述耐高压MOS器件的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压。

在进一步优化的技术方案中，所述供电电源电流出来分两路，一路流向耐高压MOS器件的漏极；一路流向偏置电路的电阻R1；从电阻R1出来的电流分两路，一路流向电容C1，然后从C1出来流向接地端；另一路流向电阻R2；电流从电阻R2一路流向耐高压MOS器件的栅极；另一路流向二极管D1；电流从二极管D1出来流向供电端。

采用了上述技术方案后，本新型的有益效果是：

相对于已披露的技术方案，本新型创新点在于，1、采用钳位保护原理，输入过压时起作用，正常电压时间歇打开和关闭电路；2、过压时故障可自恢复；3、保护电路线路损耗低；4、使用器件数量少，便于集成应用，成本低；

附图说明

图1是一种直流输入过压保护电路图

具体实施方式

下面结合附图1，以及具体实施例对本新型进行详细描述，但不作为对本新型的限定。

如附图1所示，一种直流输入过压保护电路，包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路；其中所述耐高压MOS器件为Q1，包括漏极、栅极和源级；所述偏置电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2和二极管D1；所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间，所述自举电路包括电阻R3和二极管D2；所述供电电源电流出来分两路，一路流向耐高压MOS器件的漏极；一路流向偏置电路的电阻R1；从电阻R1出来的电流分两路，一路流向电容C1，然后从C1出来流向接地端；另一路流向电阻R2；电流从电阻R2一路流向耐高压MOS器件的栅极；另一路流向二极管D1；电流从二极管D1出来流向供电端。