[实用新型]一种直流输入过压保护电路有效
| 申请号： | 201820853399.1 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN208272626U | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 胡清;林国军 | 申请（专利权）人： | 深圳巴斯巴科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04;H02H3/20;H02H3/06;H02M1/32;H02H7/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耐高压 偏置电路 自举电路 过压保护电路 低压电路 直流输入 源极 供电电源电压 电路领域 电路线路 电源电压 工作电压 关闭电路 集成应用 偏置电流 输入过压 源极输出 栅极电位 正常电压 供电端 接地端 自恢复 漏极 抬高 | ||
【权利要求书】：
1.一种直流输入过压保护电路，包括耐高压MOS器件、偏置电路和自举电路；其特征在于，其中所述耐高压MOS器件为Q1，包括漏极、栅极和源级；所述偏置电路包括电阻R1、电容C1、电阻R2和二极管D1；所述偏置电路连接在耐高压MOS器件Q1的栅极与源极之间，所述自举电路包括电阻R3和二极管D2；所述自举电路连接在耐高压MOS器件的栅极与电容C1之间。
2.根据权利要求1中所述的一种直流输入过压保护电路，其特征在于：所述耐高压MOS器件的漏极用于接入供电电源电压、源极用于连接低压电路的供电端。
3.根据权利要求2中所述的一种直流输入过压保护电路，其特征在于：所述自举电路通过偏置电路获得偏置电流而将耐高压MOS器件的栅极电位抬高，使得所述耐高压MOS器件的源极输出适于所述低压电路工作电压范围的电源电压。
4.根据权利要求1中所述的一种直流输入过压保护电路，其特征在于：所述供电电源电流出来分两路，一路流向耐高压MOS器件的漏极；一路流向偏置电路的电阻R1；从电阻R1出来的电流分两路，一路流向电容C1，然后从C1出来流向接地端；另一路流向电阻R2；电流从电阻R2一路流向耐高压MOS器件的栅极；另一路流向二极管D1；电流从二极管D1出来流向供电端。
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