[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201820834783.7 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN208507680U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体器件，该器件包括：衬底，具有沟道区；MOS晶体管，包括位于所述沟道区之上的栅极；在所述栅极的长度方向上位于所述沟道区两侧的第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构具有位于顶端并向所述沟道区突出的第一凸部，所述第二隔离结构具有位于顶端并向所述沟道区突出的第二凸部。与现有技术相比，本实用新型沟道边缘形成了凹槽，绝缘层在凹槽处对应地形成了凸起，使得沟道边缘与栅极之间的绝缘材料的厚度增加。这样的结构使沟道边缘位置的阈值电压增加，与边缘电场引起阈值电压降低的效果相抵消，进而改善了MOS器件的反窄沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 隔离结构 沟道边缘 半导体器件 本实用新型 阈值电压 凸部 绝缘层 反窄沟道效应 边缘电场 厚度增加 绝缘材料 凹槽处 衬底 凸起 抵消 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底，具有沟道区；MOS晶体管，包括位于所述沟道区之上的栅极；在所述栅极的长度方向上位于所述沟道区两侧的第一隔离结构和第二隔离结构，所述第一隔离结构具有位于顶端并向所述沟道区突出的第一凸部，所述第二隔离结构具有位于顶端并向所述沟道区突出的第二凸部。
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