[实用新型]一种高速DFB半导体激光器有效
| 申请号： | 201820692568.8 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN208078379U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 薛贤铨;薛贤旺;孙全意 | 申请（专利权）人： | 厦门市芯诺通讯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种高速DFB半导体激光器。在N‑InP衬底上，通过MOCVD生长有缓冲层、波导和量子阱结构、光栅层，并具有采用电子束光刻的方法在单颗芯片内写两种不同周期局部相移光栅；还具有再生长的InP盖层、InGaAsP过渡层，InGaAs欧姆接触层，完成材料的结构生长。在单颗芯片内制备两个倒台脊型波导，分别对应两种不同周期的光栅。本申请中并采用两种不同周期的光栅，来进一步改善光栅和增益谱匹配的问题，从而提高芯片的整体良率。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 半导体激光器 单颗芯片 电子束光刻 量子阱结构 欧姆接触层 脊型波导 相移光栅 光栅层 过渡层 缓冲层 再生长 增益谱 波导 衬底 良率 制备 申请 匹配 芯片 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高速DFB半导体激光器，其特征在于，包括：外延结构中，在N‑InP衬底上，依次生长的N‑InP缓冲层、AlGaInAs下波导层、多层压应变AlGaInAs多量子阱、AlGaInAs上波导层、P‑InP空间层、P‑InGaAsP光栅层、P‑InP光栅盖层、P‑InGaAsP过渡层，P+‑InGaAs欧姆接触层；其中，光栅层上写有两种周期的相移光栅，且两种周期的相移光栅沿芯片的腔长方向的长度小于该芯片的腔长，且靠近出光和背光端面的指定区域内无光栅；在芯片横向上，两种周期光栅的宽度，与芯片的横向中心呈对称分布，且光栅具有指定间隔；两种周期光栅的发光波长与材料增益谱峰值成左右对称分布，且发光波长间隔为指定间隔；两种周期的相移光栅分别对应有倒台脊型波导。
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