[实用新型]具有顶栅和底栅结构的氧化镓薄膜场效应晶体管有效
| 申请号： | 201820502148.9 | 申请日： | 2018-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN208077984U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 徐明升;宋爱民;辛倩;刘雅璇;杜璐璐 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及具有顶栅和底栅结构的氧化镓薄膜场效应晶体管，包括衬底、底栅电极、底栅介质层、氧化镓沟道层、顶栅介质层、顶栅电极、源电极、漏电极。其中，氧化镓沟道层是采用胶带剥离技术转移到衬底上，厚度很薄，热阻较小，散热效果好，且晶体管为双栅结构，通过双栅结构增强栅电极对载流子的控制能力，改善器件的夹断特性，晶体管的热阻大大降低，散热性能高。改善器件的夹断特性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 薄膜场效应晶体管 底栅结构 双栅结构 沟道层 晶体管 衬底 顶栅 夹断 热阻 载流子 本实用新型 剥离技术 底栅电极 顶栅电极 顶栅介质 控制能力 散热效果 散热性能 介质层 漏电极 源电极 栅电极 胶带 底栅 | ||
【主权项】：
1.具有顶栅和底栅结构的氧化镓薄膜场效应晶体管，包括衬底、栅电极、源电极和漏电极，其特征在于，衬底上从下至上依次设置有底栅介质层、氧化镓沟道层，氧化镓沟道层上设置有源电极和漏电极，源电极与漏电极之间的氧化镓沟道层上表面覆盖有顶栅介质层。
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