[实用新型]一种三温区共晶导轨有效
申请号: | 201820418004.5 | 申请日: | 2018-03-27 |
公开(公告)号: | CN208127142U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 胡红丽;刘庭云 | 申请(专利权)人: | 科广电子(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种三温区共晶导轨,包括导轨座,导轨座上设置有导槽,导槽中嵌设有依次邻接的导轨块A、导轨块B、导轨块C,导轨座内设置有若干并列设置的加热管,导轨块A、导轨块B、导轨块C一侧分别设置有热电偶A、热电偶B、热电偶C,热电偶A、热电偶B、热电偶C测试端分别藏设在导轨块A、导轨块B、导轨块C内。将安装在导轨座上的加热管数量从导轨块A向导轨块C方向逐渐增多,即可形成从导轨块A向导轨块C方向逐渐升温的三个温区,三个温区分别由热电偶A、热电偶B、热电偶C进行温度监测。其结构简单,使用方便,三个温区温度调设方便,有效提升共晶质量及共晶效率。 | ||
搜索关键词: | 导轨块 热电偶 温区 导轨座 共晶 加热管 导槽 导轨 本实用新型 并列设置 温度监测 逐渐升温 测试端 邻接 | ||
【主权项】:
1.一种三温区共晶导轨,包括导轨座(1),其特征在于,所述导轨座(1)上设置有导槽(10),所述导槽(10)中嵌设有并列设置的导轨块A(2)、导轨块B(3)、导轨块C(4),所述导轨块A(2)、导轨块B(3)、导轨块C(4)依次邻接,所述导轨座(1)内设置有若干并列设置的加热管(5),所述导轨块A(2)、导轨块B(3)、导轨块C(4)一侧分别设置有热电偶A(6)、热电偶B(7)、热电偶C(8),所述热电偶A(6)、热电偶B(7)、热电偶C(8)测试端分别藏设在所述导轨块A(2)、导轨块B(3)、导轨块C(4)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造