[实用新型]一种静态功耗管理电路有效

专利信息
申请号: 201820194586.3 申请日: 2018-02-05
公开(公告)号: CN207782650U 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 蔡劲松 申请(专利权)人: 深圳市振源电气有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型涉及一种静态功耗管理电路,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极,同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极,晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压,芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机,本实用新型设计的静态功耗管理电路功耗低,控制精确。
搜索关键词: 晶体管 芯片IC 电阻 管理电路 静态功耗 本实用新型 发射极 集电极 发射极接地 精简指令集 接地 单片机 中芯片 功耗 电路
【主权项】:
1.一种静态功耗管理电路,其特征在于,电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压,芯片IC的VSS端口接地,芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极,芯片IC的PA2端口接PWM波输入,晶体管Q1的发射极接地,晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极,同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极,晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压。
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