[实用新型]一种静态功耗管理电路

说明书

本实用新型涉及一种静态功耗管理电路，电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压，芯片IC的VSS端口接地，芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极，芯片IC的PA2端口接PWM波输入，晶体管Q1的发射极接地，晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极，同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极，晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压，芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机，本实用新型设计的静态功耗管理电路功耗低，控制精确。

技术领域

本实用新型涉及设备电路领域，尤其涉及一种静态功耗管理电路。

背景技术

目前，电源对静态功耗的要求越来越高，比如电池周边的相关产品，都希望将静态功耗做得很低，但是只要涉及到数字电源，即使在机器待机的状态下，内部的CPU部分耗电通常都会在几毫安或者几十毫安，这使得当和电池匹配出口的时候，在运输途中就有可能将电池的电量放空。

为了解决这个问题，本实用新型提供一种可以实现超低静态功耗的电路，该电路可以将整个电源系统的静态功耗控制在不到1毫安，并且具备遥控功能。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种静态功耗管理电路，以解决上述技术问题，为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案：

一种静态功耗管理电路，电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压，芯片IC的VSS端口接地，芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极，芯片IC的PA2端口接PWM波输入，晶体管Q1的发射极接地，晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极，同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极，晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压。

在上述技术方案基础上，所述芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机。

本实用新型设计的静态功耗管理电路，通过采用HT46R002芯片，有效降低电路功耗，以往的降低静态功耗的方案，都是让主MCU进行待机，但是在高性能产品的场合，主MCU的静态电流都要消耗10毫安左右，采样本电路，静态电流可以降至1毫安以内。使得和电池打包的产品在运输的过程中不会将电池的电量放空，具备更长的运输周期。

附图说明

图1为本实用新型的电路图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型作进一步详细阐述。

一种静态功耗管理电路，电路中芯片IC的VDD端口接3.3V电压，芯片IC的VSS端口接地，芯片IC的PA1端口经电阻R1接晶体管Q1的基极，芯片IC的PA2端口接PWM波输入，晶体管Q1的发射极接地，晶体管Q1的集电极经电阻接晶体管Q2基极，同时电阻R2经电阻R3接晶体管Q2的发射极，晶体管Q2的集电极和发射极同时接12V电压。

所述芯片IC采用HT46R002型具有8位高性能精简指令集的OTP单片机。

本实用新型设计的静态功耗管理电路，采用了型号为HT46R002的单片机，该单片机在休眠时耗电约为0.3毫安，其中PA1端口通过晶体管Q1来对上面的晶体管Q2进行控制通断，当PA1端口输出高电平，晶体管Q2就导通；反之则关断，因为网络VCC12+_S是电源源头，所以图中VCC12+就受到了控制，如此类推，系统中所有的电源源头都可以被单片机控制，整个系统耗电就基本上只受这块单片机影响了。

以上所述为本实用新型较佳实施例，对于本领域的普通技术人员而言，根据本实用新型的教导，在不脱离本实用新型的原理与精神的情况下，对实施方式所进行的改变、修改、替换和变型仍落入本实用新型的保护范围之内。