[实用新型]一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201820161161.2 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN207967032U | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李树强;陈芳;郭醒;吴小明;王光绪;刘军林;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/38 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 江西*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，该LED芯片包括：具有正反面的键合基板；从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极。本实用新型采用的P面反射欧姆接触层，同时具备光反射和欧姆接触功能；通过P面反射欧姆接触层的区块化，通过优化区块的间隔距离和N电极的宽度，可以抑制N电极对应区域电流注入集中问题，有效减少N电极遮挡效应。本实用新型具有能有效提高电光转换效率、结构简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 反射欧姆接触层 本实用新型 键合基 发光二极管芯片 金属键合层 薄膜型 空间层 多量子阱发光区 扩散阻挡金属层 电光转换效率 间隔距离 欧姆接触 区域电流 有效减少 板正面 光反射 区块化 基板 区块 遮挡 优化 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜型AlGaInP发光二极管芯片，包括：具有正反面的键合基板；其特征在于：从键合基板正面往上依次为：基板侧金属键合层、外延侧金属键合层、P面扩散阻挡金属层、P面反射欧姆接触层；从P面反射欧姆接触层往上依次为P型电流扩展层、P型限制层、P侧空间层、多量子阱发光区、N侧空间层、N型限制层、N型粗化层、N型欧姆接触层，N电极；键合基板的反面为P电极；P面反射欧姆接触层为Ag或者Ni/Ag叠层金属结构，与P型电流扩展层形成良好的欧姆接触，同时具备光反射和欧姆接触功能。
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