[实用新型]一种片上衰减器有效
| 申请号： | 201820128184.3 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN207924188U | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 徐科;刘英杰;谢虎成 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/126 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 张立娟 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种片上衰减器，衰减器结构类二维码分布，主体区域为2.4×2.4μm2，将优化区域分为20×20的方形像素点，像素点尺寸为120×120 nm2，自动优化得到满足目标的类二维码结构的衰减器。最终得到5个不同衰减值的衰减器，分别为：1dB，3dB，6dB，10dB，20dB，衰减器带宽为50nm。所述衰减器与其它衰减器相比，其尺寸结构非常小，且设计时间短，可根据目标要求自动优化设。所述衰减器在硅光器件中有一定的应用范围，可在器件中引入衰减，平衡或者增大光路的插损，如在MZ器件的两波导臂上应用衰减器可平衡其光路损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 衰减器 自动优化 二维码 衰减 本实用新型 衰减器结构 尺寸结构 方形像素 光路损耗 目标要求 主体区域 波导臂 像素点 插损 光路 硅光 平衡 带宽 应用 引入 优化 | ||
【主权项】：
1.一种片上衰减器，其特征在于：其为一种基于绝缘衬底硅上的衰减器，所述绝缘衬底硅上设顶层硅和掩埋氧化层，所述掩埋氧化层为中间层，所述顶层硅区域分为M×N的像素点，每个像素点有两种状态：硅和空气，通过优化算法决定每个像素点的状态。
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