[实用新型]一种低成本高光效芯片电极结构有效
| 申请号： | 201820103862.0 | 申请日： | 2018-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN207690823U | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 王灏;杨辉 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于材料加工技术领域，提供了一种低成本高光效芯片电极结构，包括9层结构，从下到上依次为铬层b、铝层b、铬层a、铂层b、钛层b、铝层a、钛层a、铂层a和金层；低成本高光效芯片电极结构具有优秀的抗老化性能，一般电极结构的LED芯片250℃烘烤30min，工作电压VF1升高0.2伏左右，本产品在同样条件下工作电压VF1升高不超过0.1伏。具有较高的光效，本电极结构同样条件下工作电压VF较一般结构低0.1伏以上。具有较低的成本，本电极结构获得与传统结构同样的工作电压水平，相比传统结构金厚度可减少1微米以上。 | ||
| 搜索关键词： | 工作电压 电极结构 芯片电极 低成本 高光效 传统结构 铂层 铬层 铝层 钛层 升高 材料加工技术 本实用新型 抗老化性能 层结构 烘烤 光效 金层 | ||
【主权项】：
1.一种低成本高光效芯片电极结构，其特征在于，所述的低成本高光效芯片电极结构包括9层结构，从下到上依次为铬层b、铝层b、铬层a、铂层b、钛层b、铝层a、钛层a、铂层a和金层；其中，铬层b的厚度为10埃；铝层b的厚度为1000埃；铬层a的厚度为500埃；铂层b的厚度为800埃；钛层b的厚度为300埃；铝层a的厚度为10000埃；钛层a的厚度为300埃；铂层a的厚度为800埃；金层的厚度为10000埃。
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